- 非IC关键词
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：普通会员
- 莫先生
- 电话：0755-83953905/4006-819-668
- 手机：13902945131
- 地址：深圳市福田区上梅林中康路雕塑家园941室
- 传真：0755-33060029
- E-mail：weiguosales@163.com
供应三*管 2SD882
NEC/日本电气
2SD882
功率
40（V）
3000m（A）
50-300（MHz）
平面型
直插型
塑料封装
产品信息
厂家**.欢迎来电咨询！
§*大额定值（Ta=25℃）ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
*号 Symbol | 名 称 Characteristics | 额定值 Rating | 单位
| |
Vcbo | 集电*—基*电压 Colletor-Base Voltage | 40 | V | |
Vceo | 集电*—发射*电压 Colleltor-Emitter Voltage | 30 | V | |
Vebo | 发射*—基*电压 Emitter-Base Voltage | 6 | V | |
Ic | 集电*电流 Colletor Current | 3000 | mA | |
Pc | 集电*功率耗散 Colletor Dissipation | 1250 | mW | |
Tj | 结 温 Junction Temperature | 150 | ℃ | |
Tstg | 贮存温度 Storage Temperature | -55-150 | ℃ |
§电特性（Ta=25℃）ELE*RICAL CHARA*ERISTICS
*号 Symbol | 名 称 Characteristsics | 测试条件 Test Conditions | *小值 Min | 特征值 T* | *大值 Max | 单位 Unit |
Bvcbo | 集电*—基*击穿电压 Collector-Base BreakdownVoltage | Ic=100μA, Ie=0 | 40 |
|
| V |
BVceo | 集电*—发射*击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage | Ic=5mA, Ib=0 | 30 |
|
| V |
Bvebo | 发射*—基*击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage | Ie=100μA, Ic=0 | 6 |
|
| V |
Icbo | 集电*—基*截止电流 Collector-Base Cutoff Current | Vcb=40v, Ie=0 |
|
| 0.1 | μA |
Iebo | 发射*截止电流 Emitter Cutoff Current | Veb=5v, Ic=0 |
|
| 0.1 | μA |
HFE | 直流电流增益 DC Current Gain | Vce=2v, Ic=1A | 60 |
| 400 |
|
Vces | 集电*—发射*饱和压降 Collector-Emitter Sateration Voltage | Ic=2A, Ib=200mA |
| 0.3 | 0.5 | V |
Vbes | 基*—发射*饱和压降 Base -Emitter Sateration Voltage | Ic=2A, Ib=0.2A |
|
| 2.0 | V |
Ft | 特征频率 Gurrent Gain-Bandwidth Product | Vce=5v,Ic=5mA | 50 | 300 |
| MHz |
"