深圳市威国科技发展有限公司

供应三*管 S8050(图)

品牌/商标:国产 型号/规格:S8050 应用范围:放大 材料:硅 *性:NPN型 击穿电压VCBO:40（V） 集电*允许电流ICM:800ma（A） 集电*耗散功率PCM:625（W） 截止频率fT:150（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装

供应三端稳压管 L7806CV

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:L7806CV 应用范围:功率 材料:锗 *性:NPN型 击穿电压VCBO:6（V） 集电*允许电流ICM:1,5（A） 结构:扩散型 封装形式:金属封装 封装材料:金属封装

供应三*管 13003(图)

品牌/商标:SI 型号/规格:13003 应用范围:功率 材料:硅 *性:NPN型 击穿电压VCBO:700（V） 集电*允许电流ICM:2.0（A） 集电*耗散功率PCM:50（W） 截止频率fT:8（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-220 封装材料:塑料封装

供应三*管S9014

品牌/商标:国产 型号/规格:S9014 应用范围:功率 材料:锗 *性:NPN型 击穿电压VCBO:50（V） 集电*允许电流ICM:0.1（A） 集电*耗散功率PCM:0.4（W） 截止频率fT:150（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装

供应三*管 MJE13005

品牌/商标:SI 型号/规格:MJE13005 应用范围:功率 材料:锗 *性:NPN型 击穿电压VCBO:700（V） 集电*允许电流ICM:5.0（A） 集电*耗散功率PCM:75（W） 截止频率fT:8（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-220 封装材料:塑料封装

供应三*管 B772(图)

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:B772 应用范围:功率 材料:锗 *性:NPN型 击穿电压VCBO:-40（V） 集电*允许电流ICM:-3000ma（A） 集电*耗散功率PCM:1250mw（W） 截止频率fT:300（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-126 封装材料:塑料封装

供应 13005 TO-220(图)

品牌/商标:SI 型号/规格:MJE13005 应用范围:功率 材料:锗(Ge) *性:NPN型 击穿电压VCBO:700（V） 集电*允许电流ICM:4（A） 集电*耗散功率PCM:75（W） 截止频率fT:4（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应贴片三*管 S8550D(图)

品牌/商标:国产 型号/规格:S8550D 应用范围:功率 材料:锗 *性:NPN型 击穿电压VCBO:-40（V） 集电*允许电流ICM:-800（A） 集电*耗散功率PCM:0.625（W） 截止频率fT:150（MHz） 结构:扩散型 封装形式:TO-92 封装材料:金属封装

供应三*管 9013

品牌/商标:国产 型号/规格:9013 应用范围:功率 材料:硅 *性:PNP型 击穿电压VCBO:40（V） 集电*允许电流ICM:0.5（A） 集电*耗散功率PCM:0.625（W） 结构:平面型 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装

供应三*管13002(图)

品牌/商标:国产 型号/规格:13002 应用范围:功率 材料:硅 *性:NPN型 击穿电压VCBO:600（V） 集电*允许电流ICM:0.8（A） 集电*耗散功率PCM:0.9（W） 截止频率fT:5（MHz） 结构:平面型 封装形式:TO-92 封装材料:塑料封装

供应三*管 2SD882

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SD882 应用范围:功率 击穿电压VCBO:40（V） 集电*允许电流ICM:3000m（A） 截止频率fT:50-300（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装