三*管 B772(图)_深圳市威国科技发展有限公司

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深圳市威国科技发展有限公司

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二极管(4)三极管(11)

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供应三*管 B772(图)

供应三*管 B772(图)

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供应三*管 B772(图)

品牌/商标：

NEC/日本电气

型号/规格：

B772

应用范围：

功率

材料：

锗

*性：

NPN型

击穿电压VCBO：

-40（V）

集电*允许电流ICM：

-3000ma（A）

集电*耗散功率PCM：

1250mw（W）

截止频率fT：

300（MHz）

结构：

平面型

封装形式：

TO-126

封装材料：

塑料封装

QQ:383780596

询价

产品信息

厂家**.欢迎来电咨询！

§*大额定值（Ta=25℃）ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

*号

Symbol

名称

Characteristics

额定值

Rating

单位

Unit

cbo

集电*—基*电压

Colletor-Base Voltage

-40

V

Vceo

集电*—发射*电压

Colleltor-Emitter Voltage

-30

V

Vebo

发射*—基*电压

Emitter-Base Voltage

-6

V

Ic

集电*电流

Colletor Current

-3000

mA

Pc

集电*功率耗散

Colletor Dissipation

1250

mW

Tj

结温

Junction Temperature

150

℃

Tstg

贮存温度

Storage Temperature

-55-150

℃

§电特性（Ta=25℃）ELE*RICAL CHARA*ERISTICS

*号 Symbol	名称 Characteristsics	测试条件 Test Conditions	*小值 Min	特征值 T*	*大值 Max	单位 Unit
Bvcbo	集电—基击穿电压 Collector-Base BreakdownVoltage	Ic=-100μA, Ie=0	-40			V
BVceo	集电—发射击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage	Ic=-5mA, Ib=0	-30			V
Bvebo	发射—基击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage	Ie=-100μA, Ic=0	-6			V
Icbo	集电—基截止电流 Collector-Base Cutoff Current	Vcb=-40v, Ie=0			-0.1	μA
Iebo	发射*截止电流 Emitter Cutoff Current	Veb=-5v, Ic=0			-0.1	μA
HFE	直流电流增益 DC Current Gain	Vce=-2v, Ic=-1A	60		400
Vces	集电—发射饱和压降 Collector-Emitter Sateration Voltage	Ic=-2000mA, Ib=-200mA		-0.3	-0.5	V
Vbes	基—发射饱和压降 Base -Emitter Sateration Voltage	Ic=-2A, Ib=-0.2A			-2.0	V
Ft	特征频率 Gurrent Gain-Bandwidth Product	Vce=-5v,Ic=-5mA	50	300		MHz

"